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IGBT功率模块采用IC驱动，各种驱动保护电路，高性能IGBT芯片，新型封装技术，从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展，其产品水平为1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于变频调速外，600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。平面低电感封装技术是大电流IGBT模块为有源器件的PEBB，用于舰艇上的发射装置。IPEM采用共烧瓷片多芯片模块技术组装PEBB，大大降低电路接线电感，进步系统效率，现已开发成功*二代IPEM，其中所有的无源元件以埋层方式掩埋在衬底中。智能化、模块化成为IGBT发展热门。
原装日本三社整流模块 我司提供原装日本三社电力半导体功率模块SanReX三社可控硅模块/PK55FG160系列模块PK25F160/PK40F160/PK55F160/PK70F160/PK90F160/PK110F160/PK160F160/PK25FG160/PK55FG160/PK70FG160/PK90FG160/PK130F160/PK160F160/PK25FG080/PK40FG080/120/PK55FG080/PK70FG080/PK90FG080/PK110FG080/PK130FG080/PK25FG160/PK55FG160/PK90FG160/PK110FG160/PK200FG160/PK250GB160/PK25HB160/PK55HB160/PK90HB160/PK200160/PK250HB160/SBA500AA160/焊机模块产品应用各种工业领域如：USP电源，电焊机，变频器，静止无功补偿器，电机软启动， 工业感应加热控制设备，逆变器，斩波器 励磁电源，各种整流电源，交直流电机控制等，标价仅供查询，如需订购原装产品敬请用户致电联系为准。
本公司供应原装赛米控平板可硅硅， SKT760参数1200V，电流760A TC:85°，TJ=25°V:1.65.tj ° —40+125度。SKT240/400-18E ,SKT340 电压 800-1800V， SKT491，电流490A 电压400-1800v，SKT551 电流550A 电压800-1800v， 电流550A ,SKT340/16，SKT160/16E.SKT600，SKT760/16E，SKT1000/16E，SKT1400/16E，SKT1800/16E，SKT2000/16E.
德国欧派克模块系列 ：FZ200R12KF2、FZ300R12KF2、FZ400R12KF2、FZ800R12KF4、FZ800R16KF4、FZ800R33KF1、FZ1200R12KF4、FZ1200R16KF4、FZ1200R25KF1（KF4）、FZ1200R33KF1、FZ1600R12KF4、FZ1800R12KF4、FZ900R16KF1、FZ1000R12KF4、FZ1800R16KF4、FZ2400R12KF4。
2U（双管）：FF150R12KE3G、FF200R12KE3、FF300R12KE3、FF400R12KE3、FF400R16KF4、FF400R33KF1、FF600R12KF4、FF600R16KF4、FF800R12KF4、FF800R17KF6B2。FF100R12KS4 FF150R12KS4 FF200R12KS4 FF300R12KS4 FF900R121T4/FF900R1P4/
斩波IGBT：FD400R12KF4、FD400R16KF4、FD400R17KF6B2、FD400R33KF1、FD600R12KF4、FD600R17KF6B2、FD600R17KF6、FD800R17KF6B2、FD800R33KF1。
四单元IGBT：F4-300R12KF4、F4-400R12KF4、F4-400R12KS4-B2。IGBT：1U（单管）BSM200GA120DN2、BSGA120DN2、BSM400GA120DN2、BSM200GA170DN2、BSGA170DN2、BSM100GAL120D、BSM100GAR120D、BSM150GAL120D、BSM150GAR120D、BSM200GAL120D、BSM200GAR120D、BSM400GA120DN2（DLC）、BSM400GA170DN2（DLC）。
2U（双管）：BSM50GB60DLC、BSM75GB60DLC、BSM100GB60DLC、BSM150GB120DLC、BSM25GB120DN2、BSM35GB120DN2（DLC）、BSM50GB100D、BSM50GB120DN2（DLC）、BSM75GB120DN2（DLC）、BSM100GB120DN2K（DLCK）、BSM100GB120DN2（DLC）、BSM75GB170DN2、BSM100GB170DN2、BSM150GB170DN2（DLC）、BSM200GB170DLC、BSM150GB120DN2、BSM150GB120DLC、BSM150GB120DN11、BSM200GB120DN2（DLC）、BSGB120DN2（DLC）
供应英国WESTCODE西码相控可控硅及R系列快速可控硅和整流二极管系列产品.N105PH12.N105RH12 ,N018PH12.N023PH12 N086PH12,N170PH12.N195PH12.N320CH40,N275PH12.N280CH06,N330KH12.N370MH12,R200SH16-21 R219SH08-12 R220SH08-12 R270SH04-08 D315CH32-36 R305SH14-21 D350SH24-26可接订单，标价仅供参考，当日询问下单为准，苏州阜晶电子科技有限公司供应：英国西码圆盘式晶闸管 陶瓷二极管系列，IXYS 可控硅大电流模块。日本sanRex三社可控硅整流模块。 德国西门康可控硅IGBT模块 ，英飞凌，(优佩克) IGBT，可控硅模块 .Fairchild ，Sirectifier ，东芝，三菱，富士，达林顿，GTR，IGBT, IPM，PIM模块，快恢复二极管，整流桥，美国IR公司系列，场效应管.可控硅模块.
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双型晶体管，是由BJT(双型三管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双型晶体管芯片）与FWD（续流二管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上； IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见； IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空**、电动汽车与新能源装备等领域应用广
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