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IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电电流时，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗，使原件发热加剧，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时，由于开关损耗，发热加剧，选用时应该降等使用。
德国欧派克模块系列 ：FZ200R12KF2、FZ300R12KF2、FZ400R12KF2、FZ800R12KF4、FZ800R16KF4、FZ800R33KF1、FZ1200R12KF4、FZ1200R16KF4、FZ1200R25KF1（KF4）、FZ1200R33KF1、FZ1600R12KF4、FZ1800R12KF4、FZ900R16KF1、FZ1000R12KF4、FZ1800R16KF4、FZ2400R12KF4。
2U（双管）：FF150R12KE3G、FF200R12KE3、FF300R12KE3、FF400R12KE3、FF400R16KF4、FF400R33KF1、FF600R12KF4、FF600R16KF4、FF800R12KF4、FF800R17KF6B2。FF100R12KS4 FF150R12KS4 FF200R12KS4 FF300R12KS4 FF900R121T4/FF900R1P4/
斩波IGBT：FD400R12KF4、FD400R16KF4、FD400R17KF6B2、FD400R33KF1、FD600R12KF4、FD600R17KF6B2、FD600R17KF6、FD800R17KF6B2、FD800R33KF1。
四单元IGBT：F4-300R12KF4、F4-400R12KF4、F4-400R12KS4-B2。IGBT：1U（单管）BSM200GA120DN2、BSGA120DN2、BSM400GA120DN2、BSM200GA170DN2、BSGA170DN2、BSM100GAL120D、BSM100GAR120D、BSM150GAL120D、BSM150GAR120D、BSM200GAL120D、BSM200GAR120D、BSM400GA120DN2（DLC）、BSM400GA170DN2（DLC）。
2U（双管）：BSM50GB60DLC、BSM75GB60DLC、BSM100GB60DLC、BSM150GB120DLC、BSM25GB120DN2、BSM35GB120DN2（DLC）、BSM50GB100D、BSM50GB120DN2（DLC）、BSM75GB120DN2（DLC）、BSM100GB120DN2K（DLCK）、BSM100GB120DN2（DLC）、BSM75GB170DN2、BSM100GB170DN2、BSM150GB170DN2（DLC）、BSM200GB170DLC、BSM150GB120DN2、BSM150GB120DLC、BSM150GB120DN11、BSM200GB120DN2（DLC）、BSGB120DN2（DLC）
供应德国赛米控可控硅，SKKT92/16E西门康模块SKKT460/22EH,1600-2200v，TC.85°C，0VT.To@T,jmax0.88v.rt@等SKKT57/12E、SKKT57/16E、SKKT72/12E、SKKT72/16E、SKKT91/16E、SKKT106/16E、SKKT92/12E、SKKT106/12E、SKKT106/16E、SKKT132/12E、SKKT132/16E、SKKT162/12E、SKKT162/16E、SKKT210/16E、SKKT250/12E、SKKT250/16E、SKKT253/12E、SKKT253/16E、SKKT330/12E、SKKT330/16E、SKKT570/12E、SKKT570/16E。可接订单，欢迎致电当日下单询问为准。
供应英国WESTCODE西码相控可控硅及R系列快速可控硅和整流二极管系列产品.N105PH12.N105RH12 ,N018PH12.N023PH12 N086PH12,N170PH12.N195PH12.N320CH40,N275PH12.N280CH06,N330KH12.N370MH12,R200SH16-21 R219SH08-12 R220SH08-12 R270SH04-08 D315CH32-36 R305SH14-21 D350SH24-26可接订单，标价仅供参考，当日询问下单为准，苏州阜晶电子科技有限公司供应：英国西码圆盘式晶闸管 陶瓷二极管系列，IXYS 可控硅大电流模块。日本sanRex三社可控硅整流模块。 德国西门康可控硅IGBT模块 ，英飞凌，(优佩克) IGBT，可控硅模块 .Fairchild ，Sirectifier ，东芝，三菱，富士，达林顿，GTR，IGBT, IPM，PIM模块，快恢复二极管，整流桥，美国IR公司系列，场效应管.可控硅模块.
本公司供应原装赛米控平板可硅硅， SKT760参数1200V，电流760A TC:85°，TJ=25°V:1.65.tj ° —40+125度。SKT240/400-18E ,SKT340 电压 800-1800V， SKT491，电流490A 电压400-1800v，SKT551 电流550A 电压800-1800v， 电流550A ,SKT340/16，SKT160/16E.SKT600，SKT760/16E，SKT1000/16E，SKT1400/16E，SKT1800/16E，SKT2000/16E.
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双型晶体管，是由BJT(双型三管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双型晶体管芯片）与FWD（续流二管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上； IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见； IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用广
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