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苏州阜晶电子科技有限公司主营 日本三社可控硅模块整流模块, 原装英国西码陶瓷可控硅,进口高频电容工业加热电容,TOCOS电位器 ,SAKAE系列电位器.COPAL电位器系列。德国西门康 ,英飞凌IGBT模块。 德国IXYS 东芝,三菱,富士日本光洋编码器系列.三相移相调压。

    海口生产进口IGBT模块厂商

    更新时间:2024-12-19   浏览数:15
    所属行业:电子 电子有源器件 电子可控硅
    发货地址:江苏省苏州昆山市  
    产品数量:9999.00套
    价格:面议
    范围全国 封装原装 价格面议 服务24小时 用途电网 新能源汽车
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    供应德国赛米控可控硅,SKKT92/16E西门康模块SKKT460/22EH,1600-2200v,TC.85°C,0VT.To@T,jmax0.88v.rt@等SKKT57/12E、SKKT57/16E、SKKT72/12E、SKKT72/16E、SKKT91/16E、SKKT106/16E、SKKT92/12E、SKKT106/12E、SKKT106/16E、SKKT132/12E、SKKT132/16E、SKKT162/12E、SKKT162/16E、SKKT210/16E、SKKT250/12E、SKKT250/16E、SKKT253/12E、SKKT253/16E、SKKT330/12E、SKKT330/16E、SKKT570/12E、SKKT570/16E。可接订单,欢迎致电当日下单询问为准。
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    原装日本三社整流模块                                                      我司提供原装日本三社电力半导体功率模块SanReX三社可控硅模块/PK55FG160系列模块PK25F160/PK40F160/PK55F160/PK70F160/PK90F160/PK110F160/PK160F160/PK25FG160/PK55FG160/PK70FG160/PK90FG160/PK130F160/PK160F160/PK25FG080/PK40FG080/120/PK55FG080/PK70FG080/PK90FG080/PK110FG080/PK130FG080/PK25FG160/PK55FG160/PK90FG160/PK110FG160/PK200FG160/PK250GB160/PK25HB160/PK55HB160/PK90HB160/PK200160/PK250HB160/SBA500AA160/焊机模块产品应用各种工业领域如:USP电源,电焊机,变频器,静止无功补偿器,电机软启动, 工业感应加热控制设备,逆变器,斩波器 励磁电源,各种整流电源,交直流电机控制等,标价仅供查询,如需订购原装产品敬请用户致电联系为准。
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    本公司供应原装赛米控平板可硅硅, SKT760参数1200V,电流760A TC:85°,TJ=25°V:1.65.tj ° —40+125度。SKT240/400-18E ,SKT340 电压 800-1800V,  SKT491,电流490A 电压400-1800v,SKT551 电流550A 电压800-1800v, 电流550A ,SKT340/16,SKT160/16E.SKT600,SKT760/16E,SKT1000/16E,SKT1400/16E,SKT1800/16E,SKT2000/16E. 
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    供应英国WESTCODE西码相控可控硅及R系列快速可控硅和整流二极管系列产品.N105PH12.N105RH12 ,N018PH12.N023PH12   N086PH12,N170PH12.N195PH12.N320CH40,N275PH12.N280CH06,N330KH12.N370MH12,R200SH16-21  R219SH08-12 R220SH08-12 R270SH04-08 D315CH32-36 R305SH14-21 D350SH24-26可接订单,标价仅供参考,当日询问下单为准,苏州阜晶电子科技有限公司供应:英国西码圆盘式晶闸管 陶瓷二极管系列,IXYS 可控硅大电流模块。日本sanRex三社可控硅整流模块。 德国西门康可控硅IGBT模块 ,英飞凌,(优佩克) IGBT,可控硅模块  .Fairchild ,Sirectifier ,东芝,三菱,富士,达林顿,GTR,IGBT, IPM,PIM模块,快恢复二极管,整流桥,美国IR公司系列,场效应管.可控硅模块.
    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双型晶体管,是由BJT(双型三管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双型晶体管芯片)与FWD(续流二管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品;封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上; IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点;当前市场上销售的多为此类模块化产品,一般所说的IGBT也指IGBT模块;随着节能环保等理念的推进,此类产品在市场上将越来越多见; IGBT是能源变换与传输的核心器件,俗称电力电子装置的“CPU”,作为国家战略性新兴产业,在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用广
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