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IGBT功率模块采用IC驱动，各种驱动保护电路，高性能IGBT芯片，新型封装技术，从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展，其产品水平为1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于变频调速外，600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。平面低电感封装技术是大电流IGBT模块为有源器件的PEBB，用于舰艇上的发射装置。IPEM采用共烧瓷片多芯片模块技术组装PEBB，大大降低电路接线电感，进步系统效率，现已开发成功*二代IPEM，其中所有的无源元件以埋层方式掩埋在衬底中。智能化、模块化成为IGBT发展热门。
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供应英国WESTCODE西码相控可控硅及R系列快速可控硅和整流二极管系列产品.N105PH12.N105RH12 ,N018PH12.N023PH12 N086PH12,N170PH12.N195PH12.N320CH40,N275PH12.N280CH06,N330KH12.N370MH12,R200SH16-21 R219SH08-12 R220SH08-12 R270SH04-08 D315CH32-36 R305SH14-21 D350SH24-26可接订单，标价仅供参考，当日询问下单为准，苏州阜晶电子科技有限公司供应：英国西码圆盘式晶闸管 陶瓷二极管系列，IXYS 可控硅大电流模块。日本sanRex三社可控硅整流模块。 德国西门康可控硅IGBT模块 ，英飞凌，(优佩克) IGBT，可控硅模块 .Fairchild ，Sirectifier ，东芝，三菱，富士，达林顿，GTR，IGBT, IPM，PIM模块，快恢复二极管，整流桥，美国IR公司系列，场效应管.可控硅模块.
本公司供应原装赛米控平板可硅硅， SKT760参数1200V，电流760A TC:85°，TJ=25°V:1.65.tj ° —40+125度。SKT240/400-18E ,SKT340 电压 800-1800V， SKT491，电流490A 电压400-1800v，SKT551 电流550A 电压800-1800v， 电流550A ,SKT340/16，SKT160/16E.SKT600，SKT760/16E，SKT1000/16E，SKT1400/16E，SKT1800/16E，SKT2000/16E.
原装日本三社整流模块 我司提供原装日本三社电力半导体功率模块SanReX三社可控硅模块/PK55FG160系列模块PK25F160/PK40F160/PK55F160/PK70F160/PK90F160/PK110F160/PK160F160/PK25FG160/PK55FG160/PK70FG160/PK90FG160/PK130F160/PK160F160/PK25FG080/PK40FG080/120/PK55FG080/PK70FG080/PK90FG080/PK110FG080/PK130FG080/PK25FG160/PK55FG160/PK90FG160/PK110FG160/PK200FG160/PK250GB160/PK25HB160/PK55HB160/PK90HB160/PK200160/PK250HB160/SBA500AA160/焊机模块产品应用各种工业领域如：USP电源，电焊机，变频器，静止无功补偿器，电机软启动， 工业感应加热控制设备，逆变器，斩波器 励磁电源，各种整流电源，交直流电机控制等，标价仅供查询，如需订购原装产品敬请用户致电联系为准。
在使用IGBT模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸； 在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块； 尽量在底板良好接地的情况下操作。 在应用中有时虽然保证了栅驱动电压没有**过栅大额定电压，但栅连线的寄生电感和栅与集电间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。
此外，在栅—发射间开路时，若在集电与发射间加上电压，则随着集电电位的变化，由于集电有漏电流流过，栅电位升高，集电则有电流流过。这时，如果集电与发射间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。
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